展示人工智能、计算和存储系统的创新应用
东京——业务线
全球存储器解决方案领导者kixia Corporation今天宣布，该公司的研究论文已被接受参加IEEE国际电子器件会议（IEDM） 2024，这是一个著名的国际会议，将于12月7日至11日在美国旧金山举行。
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内存层次结构（图表：美国商业资讯）
科夏致力于半导体存储器的研发，这对于人工智能的进步和社会的数字化转型是不可或缺的。除了拥有最先进的三维（3D）闪存技术bic flash?之外，Kioxia在新兴存储解决方案的研究方面表现出色。公司不断努力以创新的内存产品满足未来计算和存储系统的需求。
现有的计算系统利用DRAM，一种使CPU能够快速处理数据的主要存储设备，以及用于存储大量数据的闪存。Kioxia率先研发存储级内存（SCM），这是一种介于DRAM和闪存之间的半导体存储解决方案，旨在处理比DRAM更大的数据量，速度比闪存更快。
在IEDM上，kixia将展示针对这三个半导体存储层的尖端技术：(1)利用氧化物半导体的新型DRAM，专注于降低功耗；(2)适用于SCM应用的更大容量MRAM；(3)具有优越位密度和性能的新型3D闪存结构。
新兴存储技术：
1. 氧化半导体沟道晶体管DRAM (OCTRAM)：该技术由南亚科技和高霞公司联合开发。两家公司开发了一种垂直晶体管，通过改进制造工艺来提高电路集成度。这两家公司通过利用氧化物半导体来发挥晶体管的特性，实现了极低的漏电流。这可能会在广泛的应用中降低功耗，包括人工智能和后5g通信系统以及物联网产品。
论文题目：氧化半导体通道晶体管DRAM （OCTRAM）与4F2架构（论文编号：6-1）
2. 高容量交叉点MRAM技术：该技术由SK海力士公司和Kioxia公司共同开发。利用这项技术，两家公司结合了适合大容量选择器与磁隧道结配对的电池技术，并应用了交叉点型阵列的精细加工技术，实现了MRAM在最小的电池半间距20.5纳米的电池读写操作。随着单元的小型化，存储器的可靠性趋于降低。两家公司开发了一种潜在的解决方案，利用一种新的读出方法，利用选择器的瞬态响应，并通过减少读出电路的寄生电容。该技术在人工智能和大数据处理方面具有实际应用价值。
论文题目：采用世界上最小的1Selector-1MTJ单元实现64gb交叉点MRAM的低读干扰率可靠的存储操作（论文编号：20-1）
3. 下一代具有水平电池堆叠结构的3D存储技术：Kioxia开发了一种新的3D结构，以提高可靠性并防止nand型电池性能的退化。在传统结构中，当堆叠层数增加时，通常会出现性能下降。与传统的垂直排列nand型电池的结构相比，新结构通过堆叠来使nand型电池水平排列。这种结构允许以低成本实现具有高比特密度和可靠性的3D闪存。
论文题目：面向未来3D闪存的先进水平通道闪存的卓越可扩展性（论文编号：30-1）
有关IEDM的详细信息，请访问：https://www.ieee-iedm.org/
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