HBM4 时代内存巨头加速混合键合技术导入,产品最快明年亮相
2025-06-21 05:18

HBM4 时代内存巨头加速混合键合技术导入,产品最快明年亮相

  据韩媒报道,两大韩系DRAM内存原厂三星电子和SK海力士正在考虑将混合键合技术引入下一代HBM内存——HBM4中。相较于现有HBM内存使用的有凸块键合,无凸块的混合键合有利于降低HBM内存堆栈的层高,支持更多堆叠层数,同时具备电气性能优势,可实现更出色的传输速率。半导体设备厂商表示,混合键合技术的HBM内存预计在2026年以16HiHBM4(E)的形式面世。

  HBM4 时代内存巨头加速混合键合技术导入,产品最快明年亮相

  IT之家

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